Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMJ70H600HCTI - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMJ70H600HCTI

Диоды Инкорейтед DMJ70H600HCTI

МОП-транзистор BVDSS: 651 В~800 В ITO-220A

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMJ70H600HCTI
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6382
  • Артикул: DMJ70H600HCTI
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,6 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 600 мОм при 2,4 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 17,4 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 570 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 2,8 Вт (Та), 65 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ИТО-220АБ (Тип ТН)
Пакет/ключи ТО-220-3 Полный пакет, изолированная вкладка
Базовый номер продукта ДМЖ70
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Непригодный
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMJ70H600HCTI
Стандартный пакет 50
N-канал 700 В 6,6 А (Tc) 2,8 Вт (Ta), 65 Вт (Tc) Сквозное отверстие ITO-220AB (Тип TH)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.