Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMJ70H1D4SJ3 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMJ70H1D4SJ3

МОП-транзистор BVDSS: 651 В~800 В ТО251 ТУ

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMJ70H1D4SJ3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5453
  • Артикул: ДМЖ70Х1Д4СДЖ3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6,1 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,4 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 273 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 78 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-251 (Тип ТН)
Пакет/ключи ТО-251-3 Короткие выводы, ИПак, ТО-251АА
Базовый номер продукта ДМЖ70
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMJ70H1D4SJ3
Стандартный пакет 75
Н-канал 700 В 6,1 А (Tc) 78 Вт (Tc) Сквозное отверстие ТО-251 (Тип TH)