Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMJ70H1D3SK3-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Diodes Incorporated DMJ70H1D3SK3-13

Диоды Инкорейтед DMJ70H1D3SK3-13

МОП-транзистор BVDSS: 651 В~800 В TO252 T&

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMJ70H1D3SK3-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8563
  • Артикул: ДМДЖ70Х1Д3СК3-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 700 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 4,7 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 1,4 Ом при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 9,8 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 264 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 57 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ТО-252, (Д-Пак)
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Базовый номер продукта ДМЖ70
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-DMJ70H1D3SK3-13TR
Стандартный пакет 2500
Н-канал 700 В 4,7 А (Tc) 57 Вт (Tc) для поверхностного монтажа ТО-252, (D-Pak)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.