Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMHT10H032LFJ-13 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорпорейтед DMHT10H032LFJ-13

МОП-транзистор BVDSS: 61–100 В V-DFN5045

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорпорейтед DMHT10H032LFJ-13
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2067
  • Артикул: DMHT10H032LFJ-13
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4767

Дополнительная цена:$0,4767

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 4 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 6А (Та)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 33 мОм при 6 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,5 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 11,9 нк при 10 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 683пФ при 50 В
Мощность - Макс. 900мВт
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 12-PowerVDFN
Поставщик пакета оборудования V-DFN5045-12 (тип C)
Базовый номер продукта ДМНТ10
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 31-ДМНТ10Х032ЛФДЖ-13ТР
Стандартный пакет 3000
Массив мосфетов 100 В, 6 А (Ta), 900 мВт, для поверхностного монтажа V-DFN5045-12 (тип C)