Microchip Technology aptgtq200a65t3g
APTGTQ200A65T3G
- Проиджоделх: ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
- NoMerPOIзVODITELEL: Microchip Technology aptgtq200a65t3g
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 1927
- Sku: APTGTQ200A65T3G
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Активна |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks | 650 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 200 А. |
| Синла - МАКС | 483 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2,2 В @ 15 В, 200A |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 200 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 12 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Sp3f |
| Baзowый nomer prodikta | Aptgtq200 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодар | 1 |
IGBT Module Half Bridge 650 V 200 A 483
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F