| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | МС-2 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ФЛЕШ-НЕ-НЕ |
| Размер | 2Гбит |
| Организация | 256М х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 45нс |
| Время доступа | 45 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,95 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 67-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 67-БГА (8х6,5) |
| Базовый номер продукта | С34МС02 |
| ECCN | 3А991Б1А |
| ХТСУС | 8542.32.0071 |
| Стандартный пакет | 1 |
ИС флэш-памяти NAND, 2 Гбит, параллельный, 45 нс, 67-BGA (8x6,5)