| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | ГЛ-Н |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ВСПЫШКА |
| Технология | ВСПЫШКА – НО |
| Размер | 512 Мбит |
| Организация | 64М х 8, 32М х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время доступа | 100 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Базовый номер продукта | S29GL512 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | 3А991Б1А |
| ХТСУС | 8542.32.0051 |
| Другие имена | 2832-С29ГЛ512Н10ФАИ010 |
| Стандартный пакет | 28 |
FLASH-NOR ИС память 512 Мбит, параллельно 100 нс