| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | F-RAM™ |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Программируемый DigiKey | Не проверено |
| Тип | Энергонезависимый |
| Формат памяти | ФРАМ |
| Технология | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 110 нс |
| Время доступа | 110 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-ФБГА (6х8) |
| Базовый номер продукта | FM22LD16 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Непригодный |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | 3А991А2 |
| ХТСУС | 8542.32.0070 |
| Другие имена | 2832-FM22LD16-55-БГ |
| Стандартный пакет | 6 |
FRAM (сегнетоэлектрическое ОЗУ) ИС память 4 Мбит, параллельный, 110 нс, 48-FBGA (6x8)