| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | МоБЛ® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — двухпортовый, асинхронный |
| Размер | 128Кбит |
| Организация | 8К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 55нс |
| Время доступа | 55 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В, 2,4 В ~ 2,6 В, 2,7 В ~ 3,3 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 100-ВФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 100-ВФБГА (6х6) |
| Базовый номер продукта | ДЮМ |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — двухпортовая, асинхронная микросхемная память, 128 Кбит, параллельная, 55 нс, 100-VFBGA (6x6)