| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — двухпортовый, стандартный |
| Размер | 18 Мбит |
| Организация | 256К х 72 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 200 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 4 нс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В, 2,4 В ~ 2,6 В, 2,7 В ~ 3,3 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 484-БГА |
| Поставщик пакета оборудования | 484-ПБГА (23х23) |
| Базовый номер продукта | CYD18S72 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — двухпортовый, стандартная микросхема памяти, 18 Мбит, параллельный, 200 МГц, 4 нс, 484-PBGA (23x23)