| Параметры |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — двухпортовый |
| Размер | 18Мбит |
| Организация | 512К х 36 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 100 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 256-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 256-ФБГА (23х23) |
| Базовый номер продукта | CYD18S36 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
SRAM — двухпортовая микросхема памяти, 18 Мбит, параллельная частота, 100 МГц, 256-FBGA (23x23)