| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — двухпортовый |
| Размер | 72 Мбит |
| Организация | 4М х 18 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 550 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Время доступа | 450 пс |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-ФБГА (13х15) |
| Базовый номер продукта | CY7C25632 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Непригодный |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0040 |
| Другие имена | 2832-CY7C25632KV18-550BZXI |
| Стандартный пакет | 5 |
SRAM — двухпортовая микросхема памяти, 72 Мбит, параллельная, 550 МГц, 450 пс, 165-FBGA (13x15)