| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Программируемый DigiKey | Не проверено |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — синхронный, QDR II+ |
| Размер | 18Мбит |
| Организация | 512К х 36 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Тактовая частота | 400 МГц |
| Время цикла записи — Word, Page | - |
| Напряжение питания | 1,7 В ~ 1,9 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 165-ЛБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 165-ФБГА (13х15) |
| Базовый номер продукта | CY7C11651 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 8 |
SRAM — синхронная, микросхема памяти QDR II+, 18 Мбит, параллельная, 400 МГц, 165-FBGA (13x15)