| Параметры |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 20нс |
| Время доступа | 20 нс |
| Напряжение питания | 3 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-СОЮ |
| Базовый номер продукта | CY7C1041 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельной, 20 нс, 44-SOJ