| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 512Кбит |
| Организация | 32К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 12нс |
| Время доступа | 12 нс |
| Напряжение питания | 4,5 В ~ 5,5 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 44-BSOJ (ширина 0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 44-СОЮ |
| Другие имена | 2156-CY7C1020BN-12VXCKJ |
| Стандартный пакет | 122 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 512 кбит, параллельная, 12 нс, 44-SOJ