| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | МоБЛ2™ |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 4 Мбит |
| Организация | 256К х 16 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 70нс |
| Время доступа | 70 нс |
| Напряжение питания | 2,7 В ~ 3,3 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 48-ТФБГА |
| Поставщик пакета оборудования | 48-ФБГА (7х8,5) |
| Базовый номер продукта | CY62146 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | 3A991B2A |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — микросхема асинхронной памяти, 4 Мбит, параллельная, 70 нс, 48-FBGA (7x8,5)