| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | МоБЛ® |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 1Мбит |
| Организация | 128 КБ х 8 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 55нс |
| Время доступа | 55 нс |
| Напряжение питания | 2,2 В ~ 3,6 В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 85°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 32-SOIC (ширина 0,445 дюйма, 11,30 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 32-СОИК |
| Базовый номер продукта | CY62128 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 1 Мбит, параллельной, 55 нс, 32-SOIC