| Параметры |
| Производитель | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип | Неустойчивый |
| Формат памяти | СРАМ |
| Технология | SRAM — асинхронный |
| Размер | 1Кбит |
| Организация | 256 х 4 |
| Интерфейс памяти | Параллельно |
| Время цикла записи — Word, Page | 7нс |
| Время доступа | 7 нс |
| Напряжение питания | 4,94 В ~ 5,46 В |
| Рабочая температура | 0°С ~ 70°С (ТА) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 24-CDIP (0,400 дюймов, 10,16 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 24-СБДИП |
| Базовый номер продукта | CY10E422 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | Затронуто REACH |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.32.0041 |
| Стандартный пакет | 1 |
SRAM — ИС асинхронной памяти, 1 Кбит, параллельной, 7 нс, 24-SBDIP