Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 NXP USA Inc. MRF6V10250HSR3 - NXP USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. MRF6V10250HSR3

МРФ6В10250ХСР3

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. MRF6V10250HSR3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4608
  • Артикул: МРФ6В10250ХСР3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Текущий — Тест 250 мА
Мощность — Выход 250 Вт
Напряжение - номинальное 100 В
Тип монтажа Крепление на шасси
Пакет/ключи НИ-780С
Поставщик пакета оборудования НИ-780С
Базовый номер продукта МРФ6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 250
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Технология ЛДМОС
Частота 1,09 ГГц
Прирост 21 дБ
Напряжение – Тест 50 В
Текущий рейтинг (А) -
Коэффициент шума -
RF Mosfet 50 В 250 мА 1,09 ГГц 21 дБ 250 Вт NI-780S