| Параметры |
| Производитель | Комчип Технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 20 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 2,5 В, 4,5 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 24 мОм при 7,2 А, 4,5 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 1 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 35 НК при 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±12 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1580 пФ при 6 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 750 мВт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | DFNWB2x2-6L-J |
| Пакет/ключи | 6-WDFN Открытая площадка |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 641-CMSP2011A6-HFTR |
| Стандартный пакет | 3000 |
П-канал 20 В 11 А (Ta) 750 мВт (Ta) для поверхностного монтажа DFNWB2x2-6L-J