Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 IXYS IXTH52N65X - IXYS FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

IXYS IXTH52N65X

IXTH52N65X

  • Производитель: ИКСИС
  • Номер производителя: IXYS IXTH52N65X
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8123
  • Артикул: IXTH52N65X
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $10.0070

Дополнительная цена:$10.0070

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ИКСИС
Ряд Ультра Икс
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 650 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 52А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 68 мОм при 26 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 5 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 113 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 4350 пФ при 25 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 660 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Поставщик пакета оборудования ТО-247 (IX)
Пакет/ключи ТО-247-3
Базовый номер продукта IXTH52
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 30
Н-канал 650 В 52 А (Тс) 660 Вт (Тс) Сквозное отверстие ТО-247 (IXTH)