Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA(STA4,QM)
ТК3А65ДА(СТА4,КМ)
- Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
- Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TK3A65DA(STA4,QM)
- Упаковка: Трубка
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 3931
- Артикул: ТК3А65ДА(СТА4,КМ)
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| ВГС (Макс) | ±30 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 490 пФ при 25 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 35 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-220СИС |
| Пакет/ключи | ТО-220-3 Полный пакет |
| Базовый номер продукта | ТК3А65 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 50 |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | π-МОСVII |
| Упаковка | Трубка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 650 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 2,5 А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 2,51 Ом при 1,3 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 4,4 В @ 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 11 НК при 10 В |
N-канал 650 В 2,5 А (Ta) 35 Вт (Tc) сквозное отверстие TO-220SIS
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740