Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated ZXTN25100DGTA — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Incorporated ZXTN25100DGTA

ZXTN25100DGTA

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Incorporated ZXTN25100DGTA
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5719
  • Артикул: ZXTN25100DGTA
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,5600

Дополнительная цена:$0,5600

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 600 мА, 3 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 300 при 10 мА, 2 В
Мощность - Макс. 3 Вт
Частота – переход 175 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-261-4, ТО-261АА
Поставщик пакета оборудования СОТ-223-3
Базовый номер продукта ZXTN25100
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 1000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В, 3 А, 175 МГц, 3 Вт, для поверхностного монтажа SOT-223-3