Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT ES: B TR
MT53D256M64D4NY-046 XT ES: B TR
- Проиджоделх: Micron Technology Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53D256M64D4NY-046 XT ES: B TR
- Епаково: Lenta и катахка (tr)
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 5984
- Sku: MT53D256M64D4NY-046 XT ES: B TR
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Micron Technology Inc. |
| В припании | - |
| Упако | Lenta и катахка (tr) |
| Степень Продукта | Управо |
| ТИП ПАМАТИ | Nestabilnый |
| Формат пэмаи | Ддрам |
| Тела | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Raзmerpmayti | 16 -й Гит |
| Органихая | 256 м х 64 |
| ИНЕРФЕРСП | - |
| ТАКТОВА | 2,133 Гер |
| Верный | - |
| Napraheneee - posta | 1,1 В. |
| Raboч -yemperatura | -30 ° C ~ 105 ° C (TC) |
| МОНТАНАНГИП | - |
| PakeT / KORPUES | - |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Baзowый nomer prodikta | MT53D256 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8542.32.0036 |
| Станодар | 2000 |
SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 16GBIT 2133 ГГГА
Болх
- ONSEMI MM74C89N
- ONSEMI MM74C910N
- Analog Devices Inc./maxim Integrated MXD1210CSA
- ONSEMI NMC27C64N200
- ONSEMI 74F189PC
- ONSEMI 74F219PC
- ONSEMI NMC27C64Q150
- Microchip Technology 93lc56/p
- Microchip Technology 93LC56/SN
- Microchip Technology 93AA46/SN
- Microchip Technology 24C65/p
- Microchip Technology 93lc66/p
- Microchip Technology 93LC66/SN
- Microchip Technology 93AA56/SN
- Microchip Technology 93LC46/p