product_banner

Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES:E TR

Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR

MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR

Проиджоделх: Micron Technology Inc.
NoMerPOIзVODITELEL: Micron Technology Inc. MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
ЗapaS: 1888
Sku: MT53D512M64D4NZ-046 WT ES: E TR
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТА

Подробнеси

ТЕГИ

Парметр
Млн	Micron Technology Inc.
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ПАМАТИ	Nestabilnый
Формат пэмаи	Ддрам
Тела	SDRAM - Mobile LPDDR4
Raзmerpmayti	32 Гит
Органихая	512M x 64
ИНЕРФЕРСП	-
ТАКТОВА	2,133 Гер
Верный	-
Napraheneee - posta	1,1 В.
Raboч -yemperatura	-30 ° C ~ 85 ° C (TC)
МОНТАНАНГИП	Пефер
PakeT / KORPUES	376-WFBGA
ПАКЕТИВАЕТСЯ	376-WFBGA (14x14)
Baзowый nomer prodikta	MT53D512
Вернояж	3 (168 чASOW)
Доусейн Статуса	DOSTISH
Eccn	Ear99
Htsus	8542.32.0036
Станодар	1000

SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 32GBIT 2133 -ggц 376 -WFBGA (14x14)

Болх