Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CT - Central Semiconductor Corp FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CT

Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CT

МОП-транзистор P-CH 30 В 11 А матрица

  • Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
  • Номер производителя: Central Semiconductor Corp CP802-CWDM3011P-CT
  • Упаковка: Поднос
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4583
  • Артикул: CP802-CWDM3011P-CT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Добавить в список запросов предложений

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Центральная полупроводниковая корпорация
Ряд -
Упаковка Поднос
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора P-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 11А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13 мОм при 1 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3 В @ 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 80 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3100 пФ при 8 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Править
Пакет/ключи Править
Базовый номер продукта CP802
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0040
Другие имена 1514-CP802-CWDM3011P-CT
Стандартный пакет 100
П-канал, 30 В, 11 А (Та), кристалл для поверхностного монтажа

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.