| Параметры |
| Производитель | Центральная полупроводниковая корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 6 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 100 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1,5 В при 600 мА, 6 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 700 мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 30 при 300 мА, 4 В |
| Мощность - Макс. | 2 Вт |
| Частота – переход | 3 МГц |
| Рабочая температура | -65°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | Править |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0040 |
| Другие имена | 1514-CP611-TIP42-CT |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP, 100 В, 6 А, 3 МГц, 2 Вт, кристалл для поверхностного монтажа