Central Semiconductor Corp CP375-CWDM3011N-CT
МОП-транзистор Н-Ч 11А, 30 В, голый кристалл
- Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
- Номер производителя: Central Semiconductor Corp CP375-CWDM3011N-CT
- Упаковка: Поднос
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 9894
- Артикул: CP375-CWDM3011N-CT
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 860 пФ при 15 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2,5 Вт |
| Рабочая температура | -55°С ~ 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Править |
| Пакет/ключи | Править |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0040 |
| Другие имена | 1514-CP375-CWDM3011N-CT |
| Стандартный пакет | 340 |
| Производитель | Центральная полупроводниковая корпорация |
| Ряд | - |
| Упаковка | Поднос |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 11А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 4,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 20 мОм при 11 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3 В @ 250 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 6,3 нк при 5 В |
Н-канальный, 30 В, 11 А (Та), 2,5 Вт, кристалл для поверхностного монтажа
Больше продуктов
- Vishay Силиконикс IRF510
- Vishay Силиконикс IRF9510
- Vishay Силиконикс IRFD9220
- Vishay Силиконикс IRF840
- Vishay Siliconix IRFD110
- Vishay Siliconix IRFD9113
- Vishay Siliconix IRFD210
- Vishay Силиконикс IRFD9110
- Vishay Siliconix IRFD9120
- Vishay Силиконикс IRF9630
- Вишай Силиконикс IRF610
- Vishay Силиконикс IRF530
- Vishay Силиконикс IRF620
- Vishay Силиконикс IRF730
- Vishay Силиконикс IRF740