Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Central Semiconductor Corp CP307V-2N5308-WN — Central Semiconductor Corp Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Центральная полупроводниковая корпорация CP307V-2N5308-WN

CP307V-2N5308-WN

  • Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
  • Номер производителя: Центральная полупроводниковая корпорация CP307V-2N5308-WN
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4353
  • Артикул: CP307V-2N5308-WN
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Центральная полупроводниковая корпорация
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 300 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,4 В при 200 мкА, 200 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 7000 при 2 мА, 5 В
Частота – переход 60 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Править
Поставщик пакета оборудования Править
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN УСТАРЕВШИЙ
ХТСУС 0000.00.0000
Другие имена 1514-CP307V-2N5308-WN
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон, 40 В, 300 мА, 60 МГц, кристалл для поверхностного монтажа