Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Central Semiconductor Corp CP147-MJ11016-CT — Central Semiconductor Corp Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Центральная полупроводниковая корпорация CP147-MJ11016-CT

CP147-MJ11016-CT

  • Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
  • Номер производителя: Центральная полупроводниковая корпорация CP147-MJ11016-CT
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3363
  • Артикул: CP147-MJ11016-CT
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Центральная полупроводниковая корпорация
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 30 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 120 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 4 В при 300 мА, 30 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 20А, 5В
Мощность - Макс. 200 Вт
Частота – переход 4 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 200°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи Править
Поставщик пакета оборудования Править
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1514-CP147-MJ11016-ТР
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон, 120 В, 30 А, 4 МГц, 200 Вт, кристаллический для поверхностного монтажа