Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Central Semiconductor Corp CJD122 BK TIN/LEAD — Central Semiconductor Corp Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Central Semiconductor Corp CJD122 BK TIN/LEAD

ТРАНС НПН ДАРЛ 100В 8А ДПАК

  • Производитель: Центральная полупроводниковая корпорация
  • Номер производителя: Central Semiconductor Corp CJD122 BK TIN/LEAD
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1934 год
  • Артикул: CJD122 BK ИНН/СВИНЦОВЫЙ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Центральная полупроводниковая корпорация
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 8 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 4 В при 80 мА, 8 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 10 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 4А, 4В
Мощность - Макс. 1,75 Вт
Частота – переход 4 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-252-3, ДПак (2 отведения + вкладка), СК-63
Поставщик пакета оборудования ДПАК
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена 1514-CJD122BKTIN/ВЕДУЩИЙ
Стандартный пакет 150
Биполярный (BJT) транзистор NPN-Дарлингтон 100 В 8 А 4 МГц 1,75 Вт Для поверхностного монтажа DPAK