Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated DMN3012LEG-7 - Diodes Incorporated FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед DMN3012LEG-7

ДМН3012ЛЕГ-7

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед DMN3012LEG-7
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3026
  • Артикул: ДМН3012ЛЕГ-7
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,5100

Дополнительная цена:$1,5100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Конфигурация 2 Н-канала (полумост)
Особенность левого транзистора -
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Та), 20А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 12 МОм при 15 А, 5 В, 6 МОм при 15 А, 5 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,1 В при 250 мкА, 1,15 В при 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 6,1 нк при 4,5 В, 12,6 нк при 4,5 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 850пФ при 15В, 1480пФ при 15В
Мощность - Макс. 2,2 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 8-PowerLDFN
Поставщик пакета оборудования PowerDI3333-8 (тип D)
Базовый номер продукта ДМН3012
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Массив МОП-транзисторов 30 В, 10 А (Ta), 20 А (Tc), 2,2 Вт (Tc), для поверхностного монтажа PowerDI3333-8 (тип D)