Renesas Electronics America Inc RJP60F4DPM-00#T1
RJP60F4DPM-00#T1
- Проиджоделх: Renesas Electronics America Inc
- NoMerPOIзVODITELEL: Renesas Electronics America Inc RJP60F4DPM-00#T1
- Епаково: Трубка
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 88
- Sku: RJP60F4DPM-00#T1
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Renesas Electronics America Inc |
| В припании | - |
| Упако | Трубка |
| Степень Продукта | Активна |
| ТИП ИГБТ | Поящь |
| Napraheneee - raзbiroka liwчastelelelelekelelelelelelelelelelelelelekelekelekelekelekelekelekeleks | 600 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 60 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,82 -прри 15 -в, 30А |
| Синла - МАКС | 41,2 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станода |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | 45NS/70NS |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | 400 В, 30., 5OM, 15 |
| Raboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | 220-3- |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | TO-3PFM |
| Baзowый nomer prodikta | RJP60F4 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | RJP60F4DPM00T1 |
| Станодар | 1 |
IGBT Trench 600 V 60 A 41,2 sthereз oTwerStiee 3PFM
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F