Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SIHB22N60E-E3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
Русский
search
product_banner
Vishay Siliconix SIHB22N60E-E3

Vishay Силиконикс SIHB22N60E-E3

СИХБ22Н60Е-Е3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Силиконикс SIHB22N60E-E3
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2008 год
  • Артикул: СИХБ22Н60Е-Е3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

добавить в корзину

Цена за единицу: $2,1756

Дополнительная цена:$2,1756

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 600 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 21А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 180 мОм при 11 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В @ 250 мкА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 86 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±30 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1920 пФ при 100 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 227 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования Д²ПАК (ТО-263)
Пакет/ключи ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ
Базовый номер продукта SIHB22
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Другие имена SIHB22N60EE3
Стандартный пакет 1000
N-канальный 600 В 21 А (Tc) 227 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D²PAK (ТО-263)

Больше продуктов

Нажмите Enter для поиска или ESC для закрытия.