Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated APT13005DT-G1 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед APT13005DT-G1

АПТ13005ДТ-Г1

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед APT13005DT-G1
  • Упаковка: Коробка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 5993
  • Артикул: АПТ13005ДТ-Г1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Коробка
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 4 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 450 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 900 мВ при 1 А, 4 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 8 @ 2А, 5В
Мощность - Макс. 75 Вт
Частота – переход 4 МГц
Рабочая температура -65°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-220-3
Поставщик пакета оборудования ТО-220-3
Базовый номер продукта АПТ13005
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 450 В 4 А 4 МГц 75 Вт сквозное отверстие ТО-220-3