Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H(TE12L,QM — Toshiba Semiconductor and Storage FET, MOSFET — спецификация, дистрибьютор микросхем, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H(TE12L,QM)

TPC8A05-H(TE12L,QM

  • Производитель: Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
  • Номер производителя: Toshiba Semiconductor and Storage TPC8A05-H(TE12L,QM)
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7882
  • Артикул: TPC8A05-H(TE12L,QM
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
Ряд У-МОСВ-Х
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 30 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 10А (Та)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 4,5 В, 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 13,3 мОм при 5 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 2,3 В при 1 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs 15 нк @ 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 1700 пФ при 10 В
Особенность левого транзистора Диод Шоттки (корпус)
Рассеиваемая мощность (макс.) 1 Вт (Та)
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОП (5,5х6,0)
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,173 дюйма, 4,40 мм)
Базовый номер продукта ТПК8А05
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 3000
Н-канальный 30 В 10 А (Та) 1 Вт (Та) Для поверхностного монтажа 8-СОП (5,5х6,0)