Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Diodes Incorporated APT17NTR-G1 — Diodes Incorporated Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Диоды Инкорейтед APT17NTR-G1

АПТ17НТР-Г1

  • Производитель: Диодс Инкорпорейтед
  • Номер производителя: Диоды Инкорейтед APT17NTR-G1
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4453
  • Артикул: АПТ17НТР-Г1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Диодс Инкорпорейтед
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 50 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 480 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic -
Ток-отсечка коллектора (макс.) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 @ 10 мА, 20 В
Мощность - Макс. 200 мВт
Частота – переход -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Базовый номер продукта АПТ17
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 3 (168 часов)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 480 В 50 мА 200 мВт для поверхностного монтажа SOT-23-3