Infineon Technologies CY7C1426KV18-250BZXC

CY7C1426KV18-250BZXC

Производитель: Инфинеон Технологии
Номер производителя: Infineon Technologies CY7C1426KV18-250BZXC
Упаковка: Поднос
Техническая спецификация: PDF
Запас: 9756
Артикул: CY7C1426KV18-250BZXC
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Подробности

Параметры
Производитель	Инфинеон Технологии
Ряд	-
Упаковка	Поднос
Статус продукта	Устаревший
Тип	Неустойчивый
Формат памяти	СРАМ
Технология	SRAM — синхронный, QDR II
Размер	36Мбит
Организация	4М х 9
Интерфейс памяти	Параллельно
Тактовая частота	250 МГц
Время цикла записи — Word, Page	-
Напряжение питания	1,7 В ~ 1,9 В
Рабочая температура	0°С ~ 70°С (ТА)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	165-ЛБГА
Поставщик пакета оборудования	165-ФБГА (13х15)
Базовый номер продукта	CY7C1426
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	3 (168 часов)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	3A991B2A
ХТСУС	8542.32.0041
Стандартный пакет	136

SRAM — синхронная, микросхема памяти QDR II, 36 Мбит, параллельная, 250 МГц, 165-FBGA (13x15)