Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q

TPH2010FNH, L1Q

Проиджодел: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage TPH2010FNH, L1Q
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 10
Sku: TPH2010FNH, L1Q
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $1.6200

Эkst цena:$1.6200

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVIII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Активна
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	250
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	5.6a (TA)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	10 В
Rds on (max) @ id, vgs	198mohm @ 2,8a, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	4 В @ 200 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	7 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	600 pf @ 100 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	1,6 yt (ta), 42w (TC)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	8-Sop Advance (5x5)
PakeT / KORPUES	8-powervdfn
Baзowый nomer prodikta	TPH2010
Статус Ройс	ROHS COMPRINT
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.29.0095
Станодадж	5000

N-kanal 250-5,6A (TA) 1,6 м.