Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 onsemi 2SC3646S-P-TD-E — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми 2SC3646S-P-TD-E

2SC3646S-П-ТД-Е

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми 2SC3646S-P-TD-E
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 4608
  • Артикул: 2SC3646S-П-ТД-Е
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (Макс.) @ Ib, Ic 400 мВ при 40 мА, 400 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 140 при 100 мА, 5 В
Мощность - Макс. 500 мВт
Частота – переход 120 МГц
Рабочая температура -
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-243АА
Поставщик пакета оборудования PCP
Базовый номер продукта 2SC3646
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 1000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 1 А 120 МГц 500 мВт PCP для поверхностного монтажа