Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3 - Vishay Siliconix FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3

SI4090DY-T1-GE3

  • Производитель: Вишай Силиконикс
  • Номер производителя: Vishay Siliconix SI4090DY-T1-GE3
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1919 год
  • Артикул: SI4090DY-T1-GE3
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1.5000

Дополнительная цена:$1.5000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Вишай Силиконикс
Ряд ТренчFET®
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 100 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 19,7 А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 6В, 10В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 10 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 3,3 В при 250 мкА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 69 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 2410 пФ при 50 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 3,5 Вт (Та), 7,8 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования 8-СОИК
Пакет/ключи 8-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Базовый номер продукта СИ4090
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 2500
N-канал 100 В 19,7 А (Tc) 3,5 Вт (Ta), 7,8 Вт (Tc) Для поверхностного монтажа 8-SOIC