Ром Полупроводник BSM180D12P3C007

БСМ180Д12П3К007

Производитель: Ром Полупроводник
Номер производителя: Ром Полупроводник BSM180D12P3C007
Упаковка: Масса
Техническая спецификация: PDF
Запас: 3
Артикул: БСМ180Д12П3К007
Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $675,9200

Дополнительная цена:$675,9200

Подробности

Параметры
Производитель	Ром Полупроводник
Ряд	-
Упаковка	Масса
Статус продукта	Активный
Технология	Карбид кремния (SiC)
Конфигурация	2 N-канала (двойной)
Особенность левого транзистора	-
Напряжение стока к источнику (Vdss)	1200 В (1,2 кВ)
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C	180А (Тс)
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs	-
Vgs(th) (Макс) @ Id	5,6 В @ 50 мА
Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs	-
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds	900пФ при 10 В
Мощность - Макс.	880 Вт
Рабочая температура	175°С (ТДж)
Тип монтажа	Поверхностный монтаж
Пакет/ключи	Модуль
Поставщик пакета оборудования	Модуль
Базовый номер продукта	БСМ180
Статус RoHS	Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL)	1 (без блокировки)
Статус REACH	REACH не касается
ECCN	EAR99
ХТСУС	8541.29.0095
Другие имена	Q9597863
Стандартный пакет	12

Модуль Mosfet Array 1200 В (1,2 кВ), 180 А (Tc), 880 Вт, для поверхностного монтажа