| Параметры |
| Производитель | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных |
| Ряд | У-MOSIX-H |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 30 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 15А (Та) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 4,5 В, 10 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 8,9 мОм при 4 А, 10 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,1 В при 100 мкА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 7,5 НК при 4,5 В |
| ВГС (Макс) | ±20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 1130 пФ при 15 В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1,25 Вт (Та) |
| Рабочая температура | 150°С (ТА) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | 6-УДФНБ (2х2) |
| Пакет/ключи | 6-WDFN Открытая площадка |
| Базовый номер продукта | ССМ6К513 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 3000 |
N-канал 30 В 15 А (Ta) 1,25 Вт (Ta) Для поверхностного монтажа 6-UDFNB (2x2)