Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | U-Mosix-H |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
ТИП ФЕТ | N-канал |
Тела | МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА) |
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds) | 30 |
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C | 15a (TA) |
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on) | 4,5 В, 10. |
Rds on (max) @ id, vgs | 8,9mohm @ 4a, 10v |
Vgs (th) (max) @ id | 2.1 h @ 100 мк |
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs | 7,5 NC @ 4,5 |
Vgs (mmaks) | ± 20 В. |
Взёр. | 1130 pf @ 15 v |
FET FUONKSHINA | - |
Rascenaonie -vlaasti (mmaks) | 1,25 мкт (таблица) |
Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TA) |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 6-udfnb (2x2) |
PakeT / KORPUES | 6-wdfn otkrыtaiNaiN-o |
Baзowый nomer prodikta | SSM6K513 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Станодадж | 3000 |
N-kanal 30-n 15a (ta) 1,25 м.