Микрочиповая технология 2N4449UB
2Н4449УБ
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология 2N4449UB
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 9684
- Артикул: 2Н4449УБ
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/317 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 20 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 450 мВ при 10 мА, 100 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 400 нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 @ 100 мА, 1 В |
| Мощность - Макс. | 360 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | - |
| Поставщик пакета оборудования | УБ |
| Базовый номер продукта | 2N4449 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор NPN 20 В 360 мВт для поверхностного монтажа UB
