Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56CT, L3F

SSM3K56CT, L3F

Проиджоделх: Toshiba semiconductor и хraneneee
NoMerPOIзVODITELEL: Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K56CT, L3F
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 16
Sku: SSM3K56CT, L3F
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,4600

Эkst цena:$0,4600

Подрэбной

Парметр
Млн	Toshiba semiconductor и хraneneee
В припании	U-MOSVII-H
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	20
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	800 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	1,5, 4,5 В.
Rds on (max) @ id, vgs	235mohm @ 800ma, 4,5
Vgs (th) (max) @ id	1V @ 1MA
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	1 NC @ 4,5
Vgs (mmaks)	± 8 v
Взёр.	55 PF @ 10 V
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	500 мг (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TA)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	CST3
PakeT / KORPUES	SC-101, SOT-883
Baзowый nomer prodikta	SSM3K56
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодадж	10000

N-kanal 20 n 800 май (taTA) 500 мг (ta) porхnoStnoe krepleneene cst3