| Параметры |
| Производитель | Корпорация Микросеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Технология | SiCFET (карбид кремния) |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 80А (Тс) |
| Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) | 20 В |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 55 мОм при 40 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 2,5 В при 1 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 235 НК при 20 В |
| ВГС (Макс) | +25В, -10В |
| Особенность левого транзистора | - |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 625 Вт (Тс) |
| Рабочая температура | -55°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Поставщик пакета оборудования | Д3Пак |
| Пакет/ключи | ТО-263-3, Д²Пак (2 отведения + вкладка), ТО-263АБ |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
N-канальный 1200 В, 80 А (Tc) 625 Вт (Tc) для поверхностного монтажа D3Pak