| Параметры |
| Производитель | Корпорация Микросеми |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Технология | Карбид кремния (SiC) |
| Конфигурация | 2 N-канала (двойной) |
| Особенность левого транзистора | - |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 1200 В (1,2 кВ) |
| Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C | 337А (Тс) |
| Rds включено (макс.) @ Id, Vgs | 11 мОм при 180 А, 20 В |
| Vgs(th) (Макс) @ Id | 3 В при 9 мА |
| Заряд затвора (Qg) (Макс.) @ Vgs | 1224 НК при 20 В |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 23000пФ при 1000В |
| Рабочая температура | -40°С ~ 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Крепление на шасси |
| Пакет/ключи | Модуль |
| Поставщик пакета оборудования | Модуль |
| Базовый номер продукта | АПТСМ120 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Модуль Mosfet Array 1200 В (1,2 кВ) 337А (Tc) для монтажа на шасси