Anbon Semiconductor (Int'l) Limited BSS123

N-kanalnый rerhyhim uluчшenine mosfe

Проиджоделх: Anbon Semiconductor (Int'l) Limited
NoMerPOIзVODITELEL: Anbon Semiconductor (Int'l) Limited BSS123
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 73
Sku: BSS123
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1400

Эkst цena:$0,1400

Подрэбной

Парметр
Млн	Anbon Semiconductor (Int'l) Limited
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	100
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	200 мая (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	5OM @ 200 мА, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	1,8 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	14 pf @ 50 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	350 мт (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Станодар	3000

N-kanal 100- 200 май (та) 350 мг (та)