Anbon Semiconductor (Int'l) Limited 2n7002e

N-kanalnый smd mosfet eSD Protect

Проиджоделх: Anbon Semiconductor (Int'l) Limited
NoMerPOIзVODITELEL: Anbon Semiconductor (Int'l) Limited 2n7002e
Епаково: Lenta и катахка (tr)
Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
ЗapaS: 44
Sku: 2n7002e
Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.

Колиство:

ДОБАВИТАР

ЦENA EDINIцы: $0,1400

Эkst цena:$0,1400

Подрэбной

Парметр
Млн	Anbon Semiconductor (Int'l) Limited
В припании	-
Упако	Lenta и катахка (tr)
Степень Продукта	Актифен
ТИП ФЕТ	N-канал
Тела	МОС (ОКСИД МЕТАЛЛА)
Steйte odohstotoghonyka naprayжenip (vds)	60
TOOK - neprrerыvanan -ydreneж (id) @ 25 ° C	340 май (таблица)
Napraheneeee privoda (максимум, мин rds on)	4,5 В, 10.
Rds on (max) @ id, vgs	5OM @ 300 мА, 10 В
Vgs (th) (max) @ id	2,5 -50 мк
ЗAraN зaTWORA (qg) (max) @ vgs	2.4 NC @ 10 V
Vgs (mmaks)	± 20 В.
Взёр.	18 pf @ 30 v
FET FUONKSHINA	-
Rascenaonie -vlaasti (mmaks)	350 мт (таблица)
Rraboч -yemperatura	150 ° C (TJ)
МОНТАНАНГИП	Пефер
ПАКЕТИВАЕТСЯ	SOT-23
PakeT / KORPUES	Дол 236-3, SC-59, SOT-23-3
Baзowый nomer prodikta	2N7002
Статус Ройс	Rohs3
Вернояж	1 (neograniчennnый)
Eccn	Ear99
Htsus	8541.21.0095
Дрогин ИНЕНА	4530-2N7002ETR
Станодадж	3000

N-kanal 60 v 340-мам (ta) 350 мкт (tA)