Warning: fopen(/www/wwwroot/hk-allchips.com/storage/logs/error.log): failed to open stream: No such file or directory in /www/wwwroot/hk-allchips.com/system/library/log.php on line 22 Nexperia USA Inc. PSMN4R0-60YS,115 - Nexperia USA Inc. FET, MOSFET - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Nexperia USA Inc. PSMN4R0-60YS,115

ПСМН4Р0-60ИС,115

  • Производитель: Нексперия США Инк.
  • Номер производителя: Nexperia USA Inc. PSMN4R0-60YS,115
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7
  • Артикул: ПСМН4Р0-60ИС,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,8200

Дополнительная цена:$1,8200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Нексперия США Инк.
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип полярного транзистора N-канал
Технология МОП-транзистор (оксид металла)
Напряжение стока к источнику (Vdss) 60 В
Ток — непрерывный сток (Id) при 25°C 74А (Тс)
Напряжение привода (макс. включения включения, мин. значения включения) 10 В
Rds включено (макс.) @ Id, Vgs 4 мОм при 15 А, 10 В
Vgs(th) (Макс) @ Id 4 В при 1 мА
Заряд ворот (Qg) (Макс.) @ Vgs 56 НК при 10 В
ВГС (Макс) ±20 В
Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds 3501 пФ при 30 В
Особенность левого транзистора -
Рассеиваемая мощность (макс.) 130 Вт (Тс)
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Поставщик пакета оборудования ЛФПАК56, Мощность-СО8
Пакет/ключи СК-100, СОТ-669
Базовый номер продукта ПСМН4Р0
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1500
Н-канальный 60 В 74 А (Tc) 130 Вт (Tc) для поверхностного монтажа LFPAK56, Power-SO8